Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0651DPB
RJK0651DPB-00#J5 Hakkında
RJK0651DPB-00#J5, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, LFPAK (SC-100, SOT-669) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 14mOhm maksimum kanal direnci (Rds On) ve 45W güç disipasyonu kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama regülatörü tasarımlarında yaygın olarak uygulanmaktadır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bu MOSFET, 4.5V ve 10V sürücü gerilimlerinde optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2030 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok