Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0603DPN-E0#T2
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0603DPN
RJK0603DPN-E0#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJK0603DPN-E0#T2, N-Channel MOSFET transistöründür. 60V Drain-Source geriliminde 80A sürekli dren akımı sağlayabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.2mΩ maksimum on-dirençe sahiptir. 10V gate geriliminde 57nC gate yükü ve 4150pF giriş kapasitansiyle karakterize edilmiştir. 125W maksimum güç dağılımı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığına kadar dayanabilir. ±20V gate gerilim aralığında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC konvertörlerinde kullanılır. Through-hole montaj tipidir. Parça durumu itibariyle Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4150 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok