Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0603DPN-A0#T2
MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABA
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0603DPN
RJK0603DPN-A0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK0603DPN-A0#T2, 60V drain-source gerilimi ile tasarlanmış yüksek akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 80A sürekli dren akımı ve 5.2mΩ maksimum on-resistance değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, şarj devre kartları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 125W güç dağıtma kapasitesi ile zorlu ortamlar için uygundur. ±20V gate gerilimi ve 57nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4150 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220ABA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok