Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0602DPN-E0#T2
MOSFET N-CH 60V 110A TO220AB
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0602DPN
RJK0602DPN-E0#T2 Hakkında
RJK0602DPN-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 3.9mOhm (10V, 50A) düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve ±20V gate gerilim aralığı ile geniş uygulama yelpazesine sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, through-hole montaj ile PCB'lere doğrudan entegre edilir. Jungtion sıcaklığı 150°C'ye kadar çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok