Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0601DPN-E0#T2
MOSFET N-CH 60V 110A TO220AB
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0601DPN
RJK0601DPN-E0#T2 Hakkında
RJK0601DPN-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 110A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 3.1mΩ (10V, 55A) düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji tasarrufu sağlar. 200W maksimum güç dağılımı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. Gate kontrol gerilimi ±20V aralığında çalışır. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok