Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK03M9DNS-00#J5

MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
RJK03M9DNS

RJK03M9DNS-00#J5 Hakkında

RJK03M9DNS-00#J5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 14A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-HWSON (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 11.1mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ve 10W maksimum güç dağılımı, motorlar, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalara uygundur. 150°C çalışma sıcaklığına sahip RJK03M9DNS, kompakt tasarımı ve verimliliği ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package 8-HWSON (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok