Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK03M8DNS-00#J5
MOSFET N-CH 30V 30A 8HWSON
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK03M8DNS
RJK03M8DNS-00#J5 Hakkında
RJK03M8DNS-00#J5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 30A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-HWSON (PowerWDFN) yüzey montajlı pakette sunulan bu FET, düşük 5.2mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 14.5nC olup hızlı komutasyon gerektiren DC-DC konverterler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. Maksimum 20W güç dağıtım kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2590 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok