Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK03M6DNS-00#J5

MOSFET N-CH 30V 16A 8HWSON

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
RJK03M6DNS

RJK03M6DNS-00#J5 Hakkında

RJK03M6DNS-00#J5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile 16A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-HWSON (3.3x3.3mm) yüzey montajlı paketle sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 9.2mOhm (RDS-on) değerine ve 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. 1190pF input kapasitesi (10V'de) ve 7.1nC gate charge (4.5V'de) özellikleri düşük kapasitif yüklemeler gerektiren uygulamalara uygunluk sağlar. 12.5W maksimum power dissipation ile DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi güç elektronik uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-HWSON (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok