Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK03M4DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-WFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK03M4DPA
RJK03M4DPA-00#J5A Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJK03M4DPA-00#J5A, N-channel MOSFET türü bir güç transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile 35A sürekli dren akımı kabiliyetine sahiptir. 8-WFDFN paket tipi ile yüksek yoğunluklu uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 4.6mΩ olup, güç kaybının minimize edilmesini sağlar. Maksimum 30W güç tüketimi kapasitesine ve 150°C çalışma sıcaklığına ulaşabilmektedir. Gate charge değeri 12nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2170 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok