Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK03M2DPA-00#J5A

MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK

Paket/Kılıf
8-WFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
RJK03M2DPA

RJK03M2DPA-00#J5A Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen RJK03M2DPA-00#J5A, 30V drain-source gerilimi ve 45A sürekli akım kapasitesi ile çalışan N-Channel MOSFET'tir. 8-WFDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu transistör, 2.8mΩ maksimum on-dirençi sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate drive voltajı 10V'da optimal performans göstermektedir. 40W maksimum güç tüketimi ve -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel uygulamalar için uygundur. Anahtarlama hızı gerektiren güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde, DC-DC konvertörlerde ve batarya şarj sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3850 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-WFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Supplier Device Package 8-WPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok