Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK03E3DNS-00#J5
MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK03E3DNS
RJK03E3DNS-00#J5 Hakkında
RJK03E3DNS-00#J5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 14A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-HWSON (PowerWDFN) SMD paketinde sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (11.6mΩ @ 7A, 10V) ile verimli enerji iletimini sağlar. 10W maksimum güç tüketimi ve -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. Küçük gate charge değeri (5.7nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama performansı sağlar. Parça şu anda kullanım dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 10W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok