Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK03E1DNS-00#J5
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK03E1DNS
RJK03E1DNS-00#J5 Hakkında
RJK03E1DNS-00#J5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Düşük on-state direnci (6.9mΩ @ 12.5A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığında çalışabilir ve 15W güç dağıtabilir. 8-pin PowerWDFN (HWSON 3.3x3.3) yüzey montajı paketi ile gemi ve endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Aktif parça durumunda temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok