Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK03E0DNS-00#J5
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK03E0DNS
RJK03E0DNS-00#J5 Hakkında
RJK03E0DNS-00#J5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) güç transistörüdür. 30V drain-source voltajında 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, 5.6mΩ on-resistance değeriyle düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 8-pin PowerWDFN (3.3x3.3mm) surface mount paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, AC/DC dönüştürücülerde ve yük anahtarlama devrelerinde kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 20W güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3050 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok