Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK03C1DPB-00#J5
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK03C1DPB
RJK03C1DPB-00#J5 Hakkında
RJK03C1DPB-00#J5, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 2.2mΩ maksimum gate-source direnci (Rds On), hızlı anahtarlama ve düşük ısı kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot (body diode) özellikleri vardır. SC-100 (SOT-669) LFPAK yüzey montaj paketinde sunulur. Motor kontrolleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Ürün durumu kullanım dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok