Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK03B9DPA-00#J53

MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
RJK03B9DPA

RJK03B9DPA-00#J53 Hakkında

RJK03B9DPA-00#J53, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN (8-WPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10.6mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 25W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen kullanım dışı durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.6mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-WPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok