Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK0353DPA-WS#J0B

MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
RJK0353DPA

RJK0353DPA-WS#J0B Hakkında

RJK0353DPA-WS#J0B, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 35A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 5.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerVDFN (WPAK 5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC konverterler ve yük anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 40W güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarına uyumludur. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 17.5A, 10V
Supplier Device Package WPAK(3F) (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok