Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0353DPA-01#J0B
MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0353DPA
RJK0353DPA-01#J0B Hakkında
Renesas Electronics RJK0353DPA-01#J0B, 30V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerWDFN (8-WPAK) yüzey montajı paketi içinde sunulan bu bileşen, 5.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. 40W maksimum güç disipasyonuna ve 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motorlu cihazlar gibi düşük voltajlı, yüksek akımlı sistemlerde kullanılmaktadır. Gate şarj 14nC ve 2.5V eşik gerilimi, hızlı anahtarlama ve entegre devre kontrolü için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok