Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0332DPB-01#J0
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0332DPB
RJK0332DPB-01#J0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK0332DPB-01#J0, 30V drain-source gerilimi ve 35A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. SC-100 (LFPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnç (4.7mOhm @ 10V) özellikleri ile güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile çalışabilen transistör, 150°C'ye kadar sıcaklıklarda çalışabilir ve 45W güç tüketebilir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük kapasitans değerleri (2180pF) sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok