Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0331DPB-01#J0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0331DPB
RJK0331DPB-01#J0 Hakkında
RJK0331DPB-01#J0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 40A sürekli drain akımı ve 30V drain-source gerilimi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 3.4mΩ on-state direnç (Rds On) ve 50W güç disipasyonu kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde etkin çalışır. SC-100 (LFPAK) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, LED sürücü, DC-DC dönüştürücü ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve surface mount montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3380 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok