Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0329DPB-01#J0
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0329DPB
RJK0329DPB-01#J0 Hakkında
RJK0329DPB-01#J0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 55A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.3mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SC-100 (SOT-669) LFPAK paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama hızı gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç dağıtım sistemlerinde yer alır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 60W güç tüketimi tolerasyonu vardır. Ürün durumu kullanımdan kaldırılmış olup, yeni tasarımlarda alternatif seçeneklerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5330 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok