Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0328DPB-01#J0
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0328DPB
RJK0328DPB-01#J0 Hakkında
RJK0328DPB-01#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SC-100/SOT-669 (LFPAK) yüzey montajlı paketle sunulan bu bileşen, 2.1mΩ maksimum on-direnç değeri ile güç uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 42nC gate charge ve 6380pF input kapasitans özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +150°C junction sıcaklığı aralığında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6380 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok