Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK0305DPB-WS#J0

MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
RJK0305DPB

RJK0305DPB-WS#J0 Hakkında

RJK0305DPB-WS#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8mΩ (10V, 15A) RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SC-100 (SOT-669) LFPAK paketinde surface mount olarak sunulan bu bileşen, 45W güç tüketimi kapasitesi ile motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, ±16V/-12V gate gerilim aralığında çalışmaktadır. 8nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok