Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0301DPB-02#J0
MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0301DPB
RJK0301DPB-02#J0 Hakkında
RJK0301DPB-02#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SC-100 (LFPAK) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 65W güç tüketim yeteneğine sahip olan RJK0301DPB-02#J0, 4.5V ve 10V gate sürücü gerilimlerinde optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok