Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK0301DPB-00#J0

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
RJK0301DPB

RJK0301DPB-00#J0 Hakkında

RJK0301DPB-00#J0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source geriliminde 60A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SC-100/SOT-669 LFPAK paketinde sunulan bu bileşen, 2.8mΩ Rds(on) değeriyle düşük iletim direncine sahiptir. Gate charge (Qg) 32nC @ 4.5V ve input capacitance (Ciss) 5000pF @ 10V olarak belirtilmiştir. 65W maksimum güç tüketim kapasitesi ile motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması ve yüksek akım uygulamalarında kullanılmaktadır. Bileşenin parça durumu kullanımdan kaldırılmış (obsolete) olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok