Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJJ0315DPA-00#J5A

MOSFET P-CH 30V 35A

Paket/Kılıf
8-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
RJJ0315DPA

RJJ0315DPA-00#J5A Hakkında

RJJ0315DPA-00#J5A, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanıma uygundur. 8-WDFN Exposed Pad yüzey montajlı pakette sunulur. 5.9mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 48nC ve input capacitance 4300pF olarak belirtilmiştir. 150°C çalışma sıcaklığı aralığında ve 30W güç disipasyonu kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç kaynağı tasarımlarında yer alabilir. Ürün kullanım dışı bırakılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-WDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 17.5A, 10V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok