Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJ1U330AAFRGTL
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJ1U330AAFRGTL
RJ1U330AAFRGTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RJ1U330AAFRGTL, 250V drain-source voltaj kapasitesi ve 33A sürekli drain akımı ile tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş voltajında 105mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. 150°C çalışma sıcaklığı ve 211W güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (80nC @ 10V) ve kontrollü threshold voltajı (5V @ 1mA) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 211W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok