Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJ1P12BBDTLL
MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJ1P12BBDTLL
RJ1P12BBDTLL Hakkında
RJ1P12BBDTLL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ve 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5.8mOhm (10V Vgs'de 50A'de) son derece düşük on-resistance değeri ile enerji kaybı minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 178W maksimum güç disipasyonu ile düşük güç uygulamalarında etkili performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4170 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok