Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJ1L12BGNTLL
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJ1L
RJ1L12BGNTLL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RJ1L12BGNTLL, N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 2.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263AB paketinde sunulan bu komponent, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok