Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJ1L08CGNTLL
MOSFET N-CH 60V 80A LPTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJ1L08CGNTLL
RJ1L08CGNTLL Hakkında
RJ1L08CGNTLL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 7.7mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 150°C işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok