Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJ1G12BGNTLL
MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJ1G12BGNTLL
RJ1G12BGNTLL Hakkında
RJ1G12BGNTLL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj (Vdss) ve 120A sürekli drain akımı (Id @ 25°C) kapasitesine sahiptir. Maksimum 1.86mOhm (@ 50A, 10V) on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -20V ile +20V arasında gate voltajı tolerans gösterir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında güvenilir çalışır. Güç dönüştürme, motor sürücüsü, anahtarlama uygulamaları ve yüksek akım gerektiren devre tasarımlarında kullanılır. 165nC gate charge ve 12500pF input capacitance (@ 20V Vds) özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12500 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.86mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok