Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJ1G08CGNTLL
MOSFET N-CH 40V 80A LPTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJ1G08CGNTLL
RJ1G08CGNTLL Hakkında
RJ1G08CGNTLL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 5.6mOhm on-resistance değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 4.5V ve 10V gate sürüş voltajlarında çalışabilen transistör, maksimum 150°C junction sıcaklığında işletilebilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve yüksek akımlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 31.1nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok