Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RHU002N06T106
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RHU002N06T
RHU002N06T106 Hakkında
RHU002N06T106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirmek üzere tasarlanmıştır. 2.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli açık durumu sağlar. SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, -150°C'ye kadar çalışabilen geniş sıcaklık aralığı nedeniyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Düşük kapasitans ve gate charge özellikleri hızlı anahtarlama döngüleri için uygun kılan bu bileşen, CMOS devreler, sensör arabirimleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok