Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RHK003N06T146

MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RHK003N06T146

RHK003N06T146 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RHK003N06T146, N-kanal MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 300mA sürekli drain akımı (Id) ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1Ohm maksimum RdsOn değeri ile 10V gate geriliminde verimli anahtarlama performansı sunar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 200mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, LED sürücüleri ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücüler gibi birçok uygulamada tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package SMT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok