Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFW2N06RLE
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFW2N06RLE
RFW2N06RLE Hakkında
RFW2N06RLE, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj, 2A sürekli drain akımı ve 200mOhm on-state direnci ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5V gate drive voltajında çalışan bu bileşen, gücü 1.09W ile sınırlı olan düşük-güç uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Through-hole montajlı 4-DIP paket ile endüstriyel kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve sinyal kontrol uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.09W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 2A, 5V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok