Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP8P10
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP8P10
RFP8P10 Hakkında
RFP8P10, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilim, 8A sürekli drenaj akımı ve 400mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 75W güç harcanabilen RFP8P10, TO-220-3 paketinde sunulur. ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve 1500pF giriş kapasitansı ile RF ve anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve kontrol uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok