Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP8P06LE

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP8P06LE

RFP8P06LE Hakkında

RFP8P06LE, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel güç MOSFET'idir. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5V gate geriliminde 300mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip olup, 48W güç yayılımına kapaklıdır. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun olan bu transistör, 30nC gate charge ve 675pF giriş kapasitansı özellikleriyle düşük anahtarlama kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, güç yönetimi ve inverter devreleri gibi birçok elektrik-elektronik uygulamasında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 8A, 5V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok