Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP8N20
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP8N20
RFP8N20 Hakkında
RFP8N20, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj (Vdss) ve 8A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajda 500mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değerine sahiptir. 60W güç yayılımı kapasitesiyle güç elektrik uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, switching power supplies, motor kontrolü ve güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok