Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP8N18L
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP8N18L
RFP8N18L Hakkında
RFP8N18L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 180V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5V kontrol gerilimi ile 500mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 60W maksimum güç tüketim kapasitesi ve düşük giriş kapasitansi (900pF) ile tasarımı basitleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 180 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok