Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP7N35

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP7N35

RFP7N35 Hakkında

RFP7N35, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V kontrol geriliminde 750mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. 75W güç disipasyonu kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı ile anahtarlama, motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devrelerinde uygulanır. ±20V maksimum gate-source gerilimi sınırı ile güvenli çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok