Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP6P10

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP6P10

RFP6P10 Hakkında

RFP6P10, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile çalışır. 600mΩ on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 60W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Geri akım düzenlemesi, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve load switching uygulamalarında kullanılır. 10V sürüş geriliminde optimum performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok