Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP6N50

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP6N50

RFP6N50 Hakkında

RFP6N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 75W güç yayılım kapasitesine sahiptir. 1.25Ω maksimum on-dirençi (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok