Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP6N45

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP6N45

RFP6N45 Hakkında

RFP6N45, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 450V drain-source voltaj derecesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 6A sürekli drain akımı kapasitesi ve maksimum 75W güç yayılımı özelliği ile orta güç seviyelindeki devrelerde yer alır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate drive voltajında 1.25Ω on-direnci gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışan RFP6N45, anahtar devreler, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 1500pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok