Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP50N06

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP50N06

RFP50N06 Hakkında

RFP50N06, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ile 50A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 22mΩ on-resistance değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V threshold gerilimi ile güvenli ve kontrollü anahtarlama işlemi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek verimlilik gerektiren anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel kontrol devreleri için uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 131W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok