Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP50N06_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP50N06

RFP50N06_NL Hakkında

RFP50N06_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 50A sürekli drenaj akımı ve 60V dren-kaynak gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 22mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüm gerilimi ile TTL/CMOS lojik devrelerinden doğrudan kontrol edilebilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç anahtarlaması, DC-DC konvertörleri ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ortamlarda da güvenilir çalışma sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 131W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok