Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP50N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP50N06
RFP50N06 Hakkında
RFP50N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 50A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 22mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 131W maksimum güç tüketimi kapasitesine ve 150nC gate charge değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur. 10V drive voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 131W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok