Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP50N05
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP50N05
RFP50N05 Hakkında
RFP50N05, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 50A sürekli dren akımı, 50V dren-kaynak gerilimi ve 22mΩ maksimum on-direnci ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve PWM kontrolörlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan transistör, 10V drive gerilimi ile kontrol edilir ve 132W maksimum güç kaybına dayanabilir. Gate charge değeri 160nC @ 20V olup, 4V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 132W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok