Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP4N40

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP4N40

RFP4N40 Hakkında

RFP4N40, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipi ile PCB'ye direkt monte edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 60W maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok