Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP4N35
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP4N35
RFP4N35 Hakkında
RFP4N35, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 2Ω maksimum on-resistance değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 75W güç dissipasyonuna dayanır. Endüstriyel kontrolcüler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 750pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok