Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP4N06
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP4N06
RFP4N06 Hakkında
RFP4N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında 800mΩ'luk maksimum on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen RFP4N06, 25W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. TTL/CMOS uyumlu giriş özellikleri ve düşük kapasitans değeri (200pF @ 25V), hızlı anahtarlama işlemleri için optimum performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok