Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP4N05
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP4N05
RFP4N05 Hakkında
RFP4N05, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-220-3 kasa tipinde sunulan bu bileşen, 50V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli akım kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 800mOhm On-State Drain Resistance (Rds On) değeriyle, düşük ısı kaybı ile çalışan anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 25W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok